电子器件制造装置用高纯炭素制品

电子器件制作设备用高纯炭素制品
    生产以回忆芯片为代表的电子器件，要经过多种处理工艺。
    硅片外延处理工序。在此工序中，以硅片为基板，在其外表生成相同的硅单晶的一起，经过掺加不纯物而构成p型层或n型层。外延工艺一般以CVD法(化学气相沉淀)为干流。其设备的概略如图所示。工艺流程为，用氟酸将硅片清洗，枯燥后，贴置于基座上，然后加热升温，通入盐酸除掉硅片外表的氧化层，生成外延层。基座要求选择具有不能伴有金属污染、耐高温及耐盐酸腐蚀、不与硅反响、没有气体产生等特性的资料。作为能满足这些要求的资料，一般运用以高纯炭素制品为基材，经过CVD法在基材外表进行高纯SiC涂层的基座。
    氧化、分散工序。关于硅资料器件而言，这个工序是构成绝缘膜的最重要的工序。构成绝缘膜的办法有高温氧化法和CVD法。在单体处理式的等离子体CVD办法中，高纯炭素制品既是等离子体的放电电极，也是硅片的支撑板。其设备概略如图所示。这儿所运用的资料，相同要求不能运用中伴有金属污染，并且需具有诱发等离子产生的导电性，以及对反响气体、电极板清洗气体的抗腐蚀性。为了解决石墨内部微量不纯物的产生问题，有时也运用在外表进行玻璃炭涂层或热分解涂层，或者浸渍的炭素制品。现在，单体式设备正在逐渐削减，而代之以枚叶式设备