高纯石墨坩埚作为核心容器

 在单晶硅制备的直拉法（CZ法）工艺中，高纯石墨坩埚作为中心容器，承担着盛装熔融硅料、传递热量及维持安稳热场的要害效果。其高纯度特性（碳含量≥99.99%，杂质总量≤50ppm）可防止金属离子污染硅熔体，保证单晶硅的电学功用。相较于一般石墨坩埚，高纯石墨坩埚的热膨胀系数更低，在1500-1600℃高温下抗热震功用优异，有用削减因温度突变导致的开裂风险。高纯石墨坩埚，经过等静压成型与高温纯化工艺，完成了密度≥1.85g/cm3、孔隙率≤12%的优质结构，成为单晶硅炉的要害部件。

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